H表达的ECLD双稳环环宽的研究

• 作者: 潘炜 黄立平
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 光栅调谐外腔半导体激光器 双稳环 H参量 剩余反射率
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 激光器件与元件
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: TN248
• 字数: 4200字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0253-2743.2008.05.011

摘要

采用H参量简化模型研究光栅调谐外腔半导体激光器的双稳特性,导出以H参量表达的双稳环环宽解析式,给出了其适用范围,得到剩余反射率减小时导致双稳环消失的临界值,然后数值模拟了光栅反射率、谱线展宽因子、H参量、剩余反射率对载流子密度与频率关系曲线的影响,从中发现了剩余反射率增大时也存在双稳环环宽为零的情况,数值计算了剩余反射率极限值,并指出了环宽极大值的位置.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘炜	西南交通大学信息科学与技术学院	210	1270	17.0	25.0
2	黄立平	青海民族学院电子工程与信息科学系	9	3	1.0	1.0