VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质

• 作者: 于会永 占荣 惠峰 赵有文 高永亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直温度梯度凝固法 GaAs 微缺陷 单晶
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1775-1778
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.025

摘要

研究了垂直梯度凝同法(VGF法)生长的掺Si低阻GaAs单品材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷.Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低.VGF-GaAs单品生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象.对降低缺陷密度,提高掺杂效率的途径进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
2	占荣	中国科学院半导体研究所	2	8	2.0	2.0
3	于会永	中国科学院半导体研究所	2	8	2.0	2.0
4	高永亮	中国科学院半导体研究所	4	9	2.0	3.0
5	惠峰	中国科学院半导体研究所	5	27	3.0	5.0