4H-SiC(0001)(3×3)重构的原子能态

• 作者: 王秀娥 章小丽
• 来源期刊: 北京交通大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC 重构 能态 LEED XPS 束缚能 能量漂移
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 信息与材料工程
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: O472.1
• 字数: 1823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0291.2008.06.003

摘要

为了探索SiC表面的结构和原子的能态,在650 ℃条件下,用低能电子衍射(LEED仪),观察到4H-SiC(0001)(3×3)重构面的LEED图样,利用配备有XPS设备的电子能量分析器,记录SiC(0001)(3×3)重构的角分辨X射线光电子能谱(XPS),得出该结构中Si2p和C1s的能态结构,进而发现SiC(0001)(3×3)重构面仅由硅原子形成,是在扭转的硅增层上的Si四聚物.通过比较体内和表面Si2p态的光电子能谱,得出表面Si2p态的漂移能量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王秀娥	北京工商大学数理系	19	40	3.0	5.0
2	章小丽	北京交通大学理学院	5	4	1.0	1.0