808 nm大功率半导体激光迭阵偏振耦合技术

• 作者: 冯广智 刘云 单肖楠 尹红贺 王祥鹏 王立军 秦莉 邓鑫李 顾媛媛
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 808 nm 大功率半导体激光 偏振耦合 光束耦合
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 695-700
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3274字
• 语种: 中文

摘要

随着半导体激光器在工业、军事、核能等领域的应用越来越多,单个迭阵输出的光功率密度已经不能满足实际的需求,这就需要将多个半导体激光迭阵的光束耦合成为一个共同的光束,以提高输出功率和亮度.所以采用怎样的光束耦合技术能实现高亮度、高质量的激光输出就成了一个关键性的问题.对于该技术的研究,国内还没有实验方面的报道.主要介绍了大功率半导体激光器偏振耦合原理、实验的技术路线,以及对 808 nm半导体激光迭阵进行耦合实验的结果及分析.对2个bar、功率为40 W/bar的808 nm连续半导体激光迭阵,实现偏振耦合的总效率超过90%,聚焦得直径为3 mm光斑,输出功率达到134 W,总体效率超过84%. 对7个bar、峰值功率100 W/bar、占空比20%的808 nm准连续半导体激光迭阵进行了偏振耦合,其效率达到67%,得到4.5 mm×4.5 mm的光斑.