高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能

• 作者: 于会永 占荣 惠峰 赵有文 高永亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直梯度凝固法 半绝缘砷化镓 电学补偿 缺陷
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1770-1774
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.024

摘要

垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs单晶的电阻率、迁移率和均匀性均得到了显著提高.利用Hall、热激电流谱(TSC)、红外吸收法分别测试分析了原生和退火VGF-SI-GaAs单晶样品的电学性质、深能级缺陷、EL2浓度和C浓度,并与常规液封直拉法(LEC)SI-GaAs单晶样品进行了比较.原生VGF-SI-GaAs单晶巾的EL2浓度明显低于LEC-SI-GaAs单晶,经过退火处理后其EL2浓度显著增加,电学补偿增强,而且能级较浅的一些缺陷的浓度降低,因而有效提高了其电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
2	占荣	中国科学院半导体研究所	2	8	2.0	2.0
3	于会永	中国科学院半导体研究所	2	8	2.0	2.0
4	高永亮	中国科学院半导体研究所	4	9	2.0	3.0
5	惠峰	中国科学院半导体研究所	5	27	3.0	5.0