缺陷富勒烯C20分子器件的电子输运研究

• 作者: 张鸿宇 李勇 王利光 郁鼎文
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 富勒烯C20 分子器件 密度泛函理论 非平衡格林函数 电子输运
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 69-73
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.18|TN303
• 字数: 2885字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.02.002

摘要

运用基于第一性原理密度泛函理论(DFT)的非平衡格林函数(NEGF)方法,对正十二面体富勒烯C20分子及其有缺陷的C20分子进行了电子输运性质的研究.通过计算得出了模拟的电子透射谱线.通过比较不同缺陷的分子的传导特性,获得了C20的电子输运特点.通过比较发现,几乎所有情况下缺陷器件的传输概率在电子能量大于0.52eV时都大约是10-10,几乎没有电子透过,所以这种器件可以作为一种响应很好的电子开关;而器件中原子的缺失并没有造成电子传输路径的中断,在大多数情况下,在原子缺失处反而产生更多的传输路径,通路的增多使得器件传输能力得到提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王利光	江南大学理学院	75	142	6.0	7.0
2	张鸿宇	江南大学理学院	4	10	2.0	3.0