低介电损耗高耐压强度BST介电陶瓷的研究

• 作者: 刘伟 崔建东 杜军 毛昌辉 王磊 董桂霞
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸锶钡(BST) 击穿强度 介电损耗 ZnO
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 463-467
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2742字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2008.04.014

摘要

为了提高钛酸钡基陶瓷的击穿强度及降低介电损耗, 用传统粉末冶金法制备了BaxSr1-xTiO3陶瓷(x=1, 0.7, 0.6, 0.5, 0.4, 0.3, 0.2, 0.1).X射线衍射(XRD)分析结果表明, 随着x的增加, BaxSr1-xTiO3陶瓷的晶胞体积增大.且在室温条件下(约25 ℃), 当x=1～0.7时其晶体结构为四方相结构, 当x=0～0.6时, 为立方结构.材料的介电常数及介电损耗随着x的增大而增大;而其频率稳定性则随着x的增大而减小.在Ba0.2S0.8TiO3粉体中以机械混合的方式添加ZnO后, 随着ZnO添加量的增加, 陶瓷的介电常数、击穿强度都随着增大, 而介电损耗则减小, 当ZnO的加入量为1.6% (质量分数)时, 材料的介电常数和击穿强度达到最大值, 而介电损耗最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜军		75	496	13.0	17.0
2	董桂霞		9	109	4.0	9.0
3	王磊		38	221	9.0	12.0
4	刘伟		10	56	5.0	7.0
5	毛昌辉		60	564	12.0	21.0
6	崔建东		8	28	3.0	5.0