半导体电浆制程的危害及防治

• 作者: 周庆萍 陆峰 黄琪煜
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 电浆损伤 天线效应
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 3578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.02.009

摘要

随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术,电浆已被越来越广泛的应用在半导体的制造过程中.由于电浆环境充斥着高能量的粒子和带电的离子及电子,所以对半导体元件结构有潜在性的破坏效应.而这种破坏效应主要是对栅极氧化层的电性损伤,进而影响器件的良率及可靠性.因此我们必须要了解电浆损伤的成因及科学的侦侧方法,并在此基础上试图找到一些方法防止电浆损伤的发生.文章讨论了半导体电浆制程对器件的危害及防治措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄琪煜	上海交通大学微电子学院	2	3	1.0	1.0