用于PDP扫描驱动的双高压p-LDMOS及其兼容工艺

• 作者: 庄奕琪 张丽 李小明 辛维平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PDP HV-PMOS BCD工艺 厚栅氧 低成本
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1758-1763
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.022

摘要

报道了基于硅外延BCD工艺的高栅源、高漏源电压的功率pMOS的设计.采用1μm厚的场氧化层作为栅氧介质及RESURF原理优化的漏极漂移区,器件面积为80μm×80μm,工艺上简化为18次光刻,兼容标准CMOS、双极管和高压VDMOS.测试管耐压超过200V,集成于64路170V PDP扫描驱动芯片,通过了上机测试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	183	1168	15.0	22.0
2	李小明	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	123	6.0	10.0
3	张丽	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	25	178	9.0	12.0
4	辛维平	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	10	2.0	3.0