基于TCAD软件的单层多晶EEPROM器件模拟分析

• 作者: 宣晓峰 杨明武 许高斌 邓勇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单层多晶EEPROM TCAD软件 等效模型 器件模拟
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(电路设计技术)
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TN402|TP343
• 字数: 2872字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.01.004

摘要

利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单元结构进行等效模拟.通过编程模拟了单层多晶EEPROM器件性能,模拟分析得到的特性曲线与理论曲线能较好吻合,验证了等效模型方案的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨明武	合肥工业大学理学院	44	218	7.0	12.0
2	许高斌	合肥工业大学理学院	22	140	7.0	11.0
3	宣晓峰	合肥工业大学理学院	7	34	3.0	5.0
4	邓勇	合肥工业大学理学院	2	5	2.0	2.0