氮化镓HEMT器件的新型Cold FET模型

• 作者: 任春江 李晨 李辉 郑惟彬 陈堂胜
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管 Cold FET模型
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1765-1768
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.06.015

摘要

改进等效寄生电感的提取对提高小信号等效电路模型的仿真精度具有重要意义,尤其是氮化镓器件(GaN).针对传统的等效寄生电感提取方法,本文推导了用于GaN HEMT器件的新型Cold FET模型及参数提取.通过对栅宽分别为200μm和1000μtm GaN HEMT的仿真/测试,表明:新的Cold FET模型可用于GaN HEMT器件等效寄生电感的提取.这将有助于场效应晶体管模型的研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晨	中国电子科技集团公司基础部	12	51	4.0	7.0
2	陈堂胜		12	76	6.0	8.0
3	任春江		7	31	3.0	5.0
4	郑惟彬		4	23	3.0	4.0
5	李辉		3	8	2.0	2.0