NM/FS1/FS2/NM结的隧穿电导和隧穿磁电阻

• 作者: 唐科 朱林 李玲 谢征微 黄劲松
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 隧穿磁电阻 铁磁半导体 Rashba耦合
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 716-720
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2175字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2008.06.018

摘要

利用平均场近似和转移矩阵方法,对NM/FS1/FS2/NM结(NM为非磁金属,FS1和FS2为铁磁半导体层)的隧穿磁电阻(TMR)与FS层厚度及Rashba自旋轨道耦合的关系进行了研究.结果表明NM/FS1/FS2/NM结中TMR值随半导体层厚度的改变发生周期性变化,选择适当的半导体层的厚度和Rashba自旋轨道耦合系数可以得到大的TMR值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱林	四川师范大学物理与电子工程学院	5	7	2.0	2.0
2	黄劲松	四川师范大学物理与电子工程学院	4	6	2.0	2.0
3	谢征微	四川师范大学物理与电子工程学院	28	38	4.0	4.0
4	李玲	四川师范大学物理与电子工程学院	33	61	5.0	6.0
5	唐科	四川师范大学物理与电子工程学院	2	22	1.0	2.0