高性能微处理器中一种改进的高扇入多米诺电路设计与实现

• 作者: 冯超超 张民选 衣晓飞 陈迅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高扇入 多米诺逻辑 高性能 保持管
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1740-1744
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.019

摘要

设计实现了一种改进的高扇入多米诺电路结构.该电路的nMOS下拉网络分为多个块,有效降低了动态节点的电容,同时每一块只需要一个小尺寸的保持管.由于省去了标准多米诺逻辑中的尾管,有效地提升了该电路的性能.在0.13μm工艺下对该结构实现的一个64位或门进行模拟,延迟为63.9ps,功耗为32.4μw,面积为115μm2.与组合多米诺逻辑相比,延迟和功耗分别降低了55%和38%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张民选	国防科技大学计算机学院并行与分布处理国防重点实验室	71	251	8.0	12.0
2	衣晓飞	国防科技大学计算机学院并行与分布处理国防重点实验室	5	90	3.0	5.0
3	冯超超	国防科技大学计算机学院并行与分布处理国防重点实验室	4	7	1.0	2.0
4	陈迅	国防科技大学计算机学院并行与分布处理国防重点实验室	4	2	1.0	1.0