基质掺杂对CdSiO3:Sm3+体系红色长余辉发光材料的影响

• 作者: 刘世香 王明文 陈学娟 陈海英
• 来源期刊: 安徽化工
• 学科: 化学
• 关键词: 硅酸镉 基质掺杂 长余辉
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 科研与开发
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: O644.19
• 字数: 1803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-553X.2008.05.007

摘要

采用传统的高温固相反应合成了基质掺杂的Cd(RE1Si)O3∶Sm3+(RE=Al,Ga,v,Mo,zr,Ti,W)长余辉发光材料.用荧光光谱仪研究了对CdsiO3∶Sm3+体系进行不同离子的掺杂所得样品的光谱性质.对离子掺杂影响产物性能的研究表明,掺杂离子电荷是主要的影响因素,具有较高电荷的Mo、W的掺杂对产物的余辉时间具有明显的增强作用,其余辉时间分别达到453s和924s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王明文	北京科技大学应用学院化学系	18	114	5.0	10.0
2	刘世香	北京科技大学应用学院化学系	11	36	3.0	5.0
3	陈海英	北京科技大学应用学院化学系	7	7	1.0	2.0
7	陈学娟	北京科技大学应用学院化学系	2	9	2.0	2.0