氧化钽薄膜的结构、成份和介电性能研究

• 作者: 侯通贤 张幸福 魏爱香
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化钽薄膜 磁控反应溅射 介电性能
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 684-688
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3493字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控反应溅射技术制备氧化钽薄膜,重点研究了溅射气体中Ar:O2比例和退火温度对样品的结构.成份和介电性能的影响.XRD、XPS和介电谱分析表明:Ar:O2比例对薄膜的结晶性能和薄膜中O/Ta原子比有较大影响,但对薄膜的介电性能没有明显的影响.900℃退火后,XRD谱中出现明显的β-Ta2O5(001)和(200)衍射峰;介电损耗谱表明介质的损耗是由微弱的电导产生的,漏电电流在损耗中占主导地位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏爱香	广东工业大学材料与能源学院	42	197	7.0	11.0
2	张幸福	广东工业大学材料与能源学院	3	30	3.0	3.0
3	侯通贤	广东工业大学材料与能源学院	1	3	1.0	1.0