镓砷磷半导体发光二极管中的少子陷阱

• 作者: 崔连森
• 来源期刊: 潍坊学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 深能级 DLTS 少子陷阱
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 35-36,39
• 页数: 3页
• 分类号: TN312
• 字数: 1242字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4288.2008.06.010

摘要

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,首次研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管少子陷阱.结果表明,GaAs0.55P0.45红色发光二极管有一个少子陷阱;并对陷阱位置的真实值进行了详细计算,其激活能为0.11eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔连森		8	17	2.0	4.0