反应磁控溅射法制备HfO2金刚石红外增透膜

• 作者: 吕反修 王凤英 王耀华 贺琦 郭会斌 魏俊俊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HfO2薄膜 反应磁控溅射法 红外透过率 增透
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 1355-1360
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 4028字
• 语种: 中文

摘要

采用纯铪(Hf)金属靶,在氧+氩反应气氛中进行了HfO2薄膜直流反应磁控溅射沉积.首先在单晶硅片上沉积薄膜,研究工艺参数改变对薄膜的影响,然后选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果.利用X射线光电子能谱(XPS)研究了O2/Ar比例对薄膜组成的影响.利用X射线衍射仪(GIXRD)和椭偏仪(Ellipsometer)研究了不同衬底温度对氧化铪薄膜组织结构和光学性能的影响.采用傅立叶红外光谱仪(FTIR)检测了镀膜前后金刚石红外透过性能,发现双面镀制HfO2薄膜能够有效提高金刚石在8～12 μm的红外透过性能,在8 μm处最大增透可达21.6%,使金刚石红外透过率达到88%;在3～5 μm范围,双面镀制了HfO2薄膜的金刚石平均透过率达66.8%,比没有镀膜的金刚石在该处的平均透过率54%高出12.8%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕反修	北京科技大学材料科学与工程学院	151	1208	18.0	24.0
2	魏俊俊	北京科技大学材料科学与工程学院	32	112	5.0	9.0
3	贺琦	北京科技大学材料科学与工程学院	11	87	5.0	9.0
4	郭会斌	北京科技大学材料科学与工程学院	6	65	4.0	6.0
5	王耀华	北京科技大学材料科学与工程学院	7	24	4.0	4.0
6	王凤英	北京科技大学材料科学与工程学院	7	31	4.0	5.0