TLP应力下gg-NMOS瞬态特性分析

• 作者: 孙伟锋 王雯 钱钦松
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 瞬态特性 传输线脉冲 过冲电压 过冲时间
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1816-1818
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1747字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.06.029

摘要

采用TCAD Sentaurus模拟分析了gg-NMOS在TLP应力下的瞬态特性.包括NMOS的栅长,栅氧化层厚度,栅宽及TLP电流大小对ESD保护器件开启特性的影响.分析表明,器件栅长增加,栅氧变厚,栅宽变宽都使得漏端过冲电压增大,达到这一电压所需时间变长.对于相同上升时间的TLP脉冲,大电流则对应短的上升时间和高的过冲电压.该工作为以后高响应速度ESD保护器件设计提供依据和参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	钱钦松	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	14	56	5.0	6.0
3	王雯	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	5	36	4.0	5.0