X波段MEMS可变电容的设计与制作

• 作者: 李丽 李倩 胡小东
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 可变电容 压控振荡器 Q值 静电力 射频微机电系统
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: MEMS器件与技术
• 页码范围: 347-350,355
• 页数: 5页
• 分类号: TH703|TM532.5
• 字数: 2702字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.06.008

摘要

对一种适合于X波段通信系统的RF MEMS可变电容进行了结构设计和工艺实现.该电容用高阻硅作为衬底材料,采用凹形和T形梁结构,整个结构由金材料组成;静电驱动,采用驱动信号与微波信号分离的方法.用有限元分析软件Ansys对该电容进行了模拟,随着驱动电压的变化,电容上极板产生位移变化,电容值相应地发生变化;设计了相应的工艺流程,实现了X波段MEMS可变电容的工艺制作和测试,该工艺与集成电路工艺兼容.S参数测试结果表明,在9 GHz时Q值可达32.5,电容调节范围为28.8%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李丽	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	94	6.0	9.0
2	李倩	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	37	3.0	6.0
3	胡小东	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	27	2.0	5.0