表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb3+离子荧光寿命的影响

• 作者: 李东升 杨德仁 程培红 胡翔 袁志钟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 化学
• 关键词: 光致荧光 荧光寿命 铽 表面等离激元共振
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 684-688
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31|O614.341|O539
• 字数: 3315字
• 语种: 中文

摘要

利用等离子增强化学气相沉积和离子注入方法,制备了铽掺杂的氮化硅薄膜,然后利用磁控溅射和热处理工艺在薄膜上沉积了不同颗粒尺寸的银薄膜来研究表面等离激元共振对铽离子荧光寿命的影响.实验结果表明氮化硅中Tb3+离子的光致荧光最强峰在547 nm,而银薄膜的存在会明显降低稀土离子Tb3+的荧光寿命,其寿命的改变是由于银薄膜的表面等离激元改变了电磁场的分布,从而影响了系统的局域光模密度(PMD),理论计算的结果也验证了这一点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程系	180	1513	20.0	31.0
2	李东升	浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程系	36	130	6.0	10.0
3	胡翔	浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程系	2	2	1.0	1.0
4	程培红	浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程系	1	2	1.0	1.0
5	袁志钟	浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程系	2	9	2.0	2.0