Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺

• 作者: 戎瑞芬 江素华 汪荣昌 王家楫 邵丙铣 陈扬文 顾志光
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Si纳米线 磁控溅射 镀Ni 退火 薄膜
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 606-610
• 页数: 5页
• 分类号: TB383|TN305.3|TN305.92|TN305.99
• 字数: 1374字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.10.010

摘要

研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺.采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅射一定厚度的无定形Ni颗粒,此后对镀Ni的Si纳米线进行完整晶体结构的退火处理.应用高分辨透射电镜(HRTEM)等结构表征工具分析了Si纳米线表面Ni薄膜的形成过程,HRTEM结果表明,在350℃左右退火得到的Si纳米线表面能形成连续的、结构完整的Ni薄膜;退火温度低于300℃时,表面溅射的Ni结晶效果较差;退火温度在800℃时,表面Ni薄膜发生团聚,形成了分立的纳米颗粒.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵丙铣	复旦大学材料科学系	41	234	10.0	13.0
2	王家楫	复旦大学材料科学系	25	114	6.0	9.0
3	陈扬文	复旦大学材料科学系	3	5	2.0	2.0
4	江素华	复旦大学材料科学系	13	50	3.0	7.0
5	顾志光	复旦大学材料科学系	8	32	4.0	5.0
6	戎瑞芬	复旦大学材料科学系	12	68	5.0	7.0
7	汪荣昌	复旦大学材料科学系	15	70	5.0	7.0