非直流电压对N*-SmC*相序铁电液晶排列的影响

• 作者: 唐先柱 季新建 宣丽 李静 邹忠飞
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电液晶 半"V"字形 N*-SmC*相变 剩余电荷
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 271-275
• 页数: 5页
• 分类号: TN104.3|O753+.2
• 字数: 2022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2008.03.003

摘要

半"V"字形铁电液晶器件中使用N* -SmC*相序的铁电液晶材料,获得此种器件单畴排列的常用方法是在N*-SmC*相变过程中施加直流电压,但是这种方法引入了损害器件性能的剩余电荷.通过研究在相变过程中施加各种非直流电压对液晶排列织构的影响,发现直流电压不是得到N*-SmC*相序的铁电液晶均一排列的必要条件,通过选择双极性电压为V1=7V/μm,V2=3 V/μm,一个脉冲周期20 ms内施加双极性电场时间比为D1/D2=3/7,不仅获得了电光特性曲线不存在迟滞回线的均一层排列器件,同时也解决了剩余电荷对器件的影响.