InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究

• 作者: 张永刚 田招兵 祝向荣 郑燕兰 顾溢
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs 光伏探测器 焦平面阵列 钝化 气态源分子束外延
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: TN364
• 字数: 2568字
• 语种: 中文

摘要

通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进行了比较和分析.实验结果表明,气态源分子束外延材料具有良好的均匀性;氮化硅钝化器件总体性能上优于聚酰亚胺钝化器件.引线封装实验显示,SiN钝化膜有较好的抗冲击和热稳定性,具有更好的工艺相容性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑燕兰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	11	50	5.0	6.0
2	张永刚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	66	595	12.0	21.0
3	顾溢	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	11	79	6.0	8.0
4	祝向荣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	6	15	3.0	3.0
5	田招兵	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	5	23	4.0	4.0