TFT 5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺

• 作者: 于春崎 辛玉洁
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 5次光刻 背沟道刻蚀型 背沟道保护型 a-Si岛
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 1080-1083
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7|O484.1
• 字数: 1965字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.12.009

摘要

5次光刻工艺(简称5PEP)是一种新的研究,分为背沟道刻蚀型和背沟道保护型.5PEP改变了TFT结构和原理,相对于常用的7 PEP可缩短生产周期,减少使用设备,提升成品率,降低成本.研究制定了背沟道刻蚀型与背沟道保护型5PEP的主要工序步骤,并通过50.8 mm液晶屏多次小批量投产进行试验.探讨了刻蚀型5PEP中a-Si岛刻蚀不良、SiNx刻蚀跨断等问题.取得合理的工艺参数,使5PEP能应用于小尺寸液晶屏的TFT量产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	辛玉洁	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	3	1.0	1.0
10	于春崎	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	6	2.0	2.0