0.18μm工艺下p-n结电荷收集的三维TCAD模拟

• 作者: 刘必慰 梁斌 陈书明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷收集 p-n结 超深亚微米 三维器件模拟 辐射
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1692-1697
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.011

摘要

采用三维TCAD模拟的手段,针对0.18μm工艺下的真实p-n结,研究了偏雎、温度、衬底掺杂浓度和LET对辐射诱导的SET电流脉冲的影响.研究结果表明,在1.62～1.98V的范围内,偏压对电流脉冲的形状有明显影响,而对2ns内的电荷收集总量几乎没有影响;电流脉冲峰值和2ns内的电荷收集总量均随着温度的增加而降低,但温度对电流脉冲峰值的影响更大,而对电荷收集总量的影响相对较小;在典型的现代工艺条件下,衬底掺杂浓度的起伏对单粒子加固性能的影响基本可以忽略;电流脉冲的峰值和电荷收集量二者均随着LET的增加而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈书明	国防科技大学计算机学院	65	467	11.0	18.0
2	刘必慰	国防科技大学计算机学院	17	101	6.0	9.0
3	梁斌	国防科技大学计算机学院	17	102	6.0	9.0