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CMOS集成电路的ESD设计技术
互补金属氧化物半导体
集成电路
静电放电
技术
设计
CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计
互补型金属氧化物集成电路
静电放电
保护电路
电源和地
CMOS集成电路的抗辐射设计
CMOS集成电路
抗辐射加固
总剂量效应
单粒子效应
集成电路版图(layout)设计方法与实例
版图设计
MOS
面积
设计规则
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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(/年)
文献信息
篇名 浅议集成电路布图设计之法律保护
来源期刊 半导体行业 学科 工学
关键词 《集成电路布图设计保护条例》 法律保护 有源元件 知识产权 国务院 专用权 配置 三维
年,卷(期) bdtxy_2008,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 44-45
页数 2页 分类号 TN47
字数 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
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引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
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参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2008(0)
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研究主题发展历程
节点文献
《集成电路布图设计保护条例》
法律保护
有源元件
知识产权
国务院
专用权
配置
三维
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体行业
双月刊
无锡市梁溪路14号
出版文献量(篇)
1222
总下载数(次)
6
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