50-170 keV质子照射对GaAs/Ge太阳能电池光谱响应的影响

• 作者: 何世禹 孙彦铮 张益君 肖志彬 肖景东 赵慧杰
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/Ge太阳电池 质子辐射 光谱响应
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.01.008

摘要

用固定能量(100 keV)不同注量(1×1011-3×1012 cm-2)或固定注量(3×1012 cm-2)不同能量(50-170 keV)的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系.结果表明,质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响.这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷,使晶格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加.在质子能量相同的条件下,电池光学性能衰降随照射注量增大;在注量相同的条件下,辐射能量越高,太阳电池光学性能衰降越大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何世禹		122	1160	17.0	24.0
2	孙彦铮	中国电子科技集团公司第十八研究所	12	53	5.0	6.0
3	赵慧杰		11	51	5.0	6.0
4	肖志彬	中国电子科技集团公司第十八研究所	1	7	1.0	1.0
5	肖景东		6	37	4.0	6.0
6	张益君		2	12	2.0	2.0