BRAFV599E突变基因对A375细胞生长的影响

• 作者: 孙建方 曾学思 韩永智
• 来源期刊: 中华皮肤科杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 黑色素瘤 基因,BRAF 细胞周期 细胞凋亡
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 598-600
• 页数: 3页
• 分类号: R3
• 字数: 2917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-4030.2008.09.012

摘要

目的 探讨BRAFV599E突变对黑素瘤生长的作用.方法 使用BRAF表达受到抑制的黑素瘤细胞Abraf1和Abra12,以及BRAF表达未受抑制的A375细胞和Aneg细胞,MTT比色实验和平板克隆形成实验分别检测4种细胞的生长和克隆形成能力,流式细胞仪检测细胞周期和凋亡的变化.结果 与A375和Aneg细胞相比,Abrafl和Abraf2细胞的体外生长(F=25.48,P<0.001)和克隆形成(F=90.06,P<0.001)均受到明显抑制,S期细胞减少(F=147.87,P<0.001),G1期细胞增多(F=9.14,P<0.05),但细胞凋亡没有显著增加(F=2.27,P>0.05).结论 BRAFV599E突变基因能促使黑素瘤细胞从G1期进入S期,从而增强黑素瘤细胞的体外生长和增殖能力,但对黑素瘤细胞的体外凋亡没有影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾学思	中国医学科学院皮肤病研究所	123	283	7.0	11.0
2	孙建方	中国医学科学院皮肤病研究所	247	484	9.0	13.0
3	韩永智	广东省人民医院皮肤科	6	28	3.0	5.0