DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST开关

• 作者: 刘文杰 吴洪江 方园 李富强 高学邦 魏洪涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带 低插入损耗 GaAs微波单片集成电路 单刀单掷开关
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 1115-1118
• 页数: 4页
• 分类号: TN454
• 字数: 2169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.12.018

摘要

介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术,基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计.工作频率范围为DC～40 GHz,插入损耗≤0.8 dB,隔离度≥25 dB,驻波比≤1.4:1.同时,对电路的通孔特性进行了分析,对电路设计流程进行了阐述.要获得期望带宽的开关,如何选择控制器件的通孔连接方式,以及通孔数量对插入损耗等性能的影响.最终,具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成单刀单掷开关电路成功开发.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	魏洪涛	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	37	4.0	6.0
3	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
4	刘文杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	33	4.0	5.0
5	方园	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	23	4.0	4.0
6	李富强	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	36	3.0	6.0