增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT

• 作者: 全思 张进城 张金凤 王冲 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 AlGaN/GaN 槽栅 阈值电压
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1682-1685
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.009

摘要

成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm.源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大跨导为221mS/mm,阈值电压为0.57V,ft和,fmax分别为5.2和9.3GHz.比较刎蚀前后的肖特基,Ⅰ-Ⅴ特性,证实了槽栅刻蚀过程中非有意淀积介质层的存在.深入研究了增强型器件亚阈特性和频率特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华		40	140	7.0	8.0
3	张进城	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件重点实验室	52	301	9.0	14.0
4	王冲	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件重点实验室	17	107	7.0	9.0
5	张金凤	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件重点实验室	16	87	7.0	8.0
6	全思	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	7	1.0	1.0