高亮度大功率InGaAlP红光LED芯片研制

• 作者: 于欣 于莉媛 刘宏伟 战瑛 李晓云 杨广华 牛萍娟 王小丽 罗惠英 高铁成
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: LED InGaAlP 湿法腐蚀 p型欧姆接触
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 330-336
• 页数: 7页
• 分类号: O48231|TN321
• 字数: 1912字
• 语种: 中文

摘要

报道了大功率高亮度InGaAlP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极.和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀,而且更有利于与其它器件的集成.对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通量和光强的测量.芯片的电性能非常好,其开启电压VT为1.5 V;当工作电压达到3 V时,工作电流为500 mA;在工作电流为350 mA时,峰值波长为635 nm,半峰全宽为16.4 nm,光强为830 mcd.在色度学测试中,色坐标为x=0.694 3,y=0.305 6,显色指数为18.4.因此可以得知高亮度大功率InGaAlP红光LED是未来LED作为普通照明光源应用的第一步,而且将会在科学研究和工业投资的很多应用领域中成为新的焦点.