200nm栅长In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs器件

• 作者: 付晓君 张海英 徐静波 黎明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MHEMT InAlAs/InOaAs 电子束光刎 T型栅
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1679-1681
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.008

摘要

利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAlAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT 器件获得了优越的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、域值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,110GHz及72GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静波	中国科学院微电子研究所	15	55	4.0	6.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	黎明	中国科学院微电子研究所	41	329	12.0	17.0
4	付晓君	中国科学院微电子研究所	5	21	2.0	4.0