高兼容CMOS工艺嵌入EEPROM技术

• 作者: 封晴 徐政 钱宏文
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 非易失性存储器 电可擦除只读存储器 CMOS工艺 嵌入EEPROM
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 31-33,42
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 1835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.07.008

摘要

电可擦除只读存储器是非易失性存储器.文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术,对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究.研究结果表明,我们设计的0.8μ m电可擦除只读存储器单元Vpp电压在13V～15V之间能够正常工作,擦写时间小于500μs,读出电流大于160μA/μm;在普通CMOS工艺基础上增加了BN+埋层、隧道窗口工艺,成功应用于含嵌入电可擦除只读存储器的可编程电路的设计与制造.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱宏文	中国电子科技集团公司第五十八研究所	21	44	4.0	6.0
2	徐政	中国电子科技集团公司第五十八研究所	14	17	3.0	3.0
3	封晴	中国电子科技集团公司第五十八研究所	5	21	3.0	4.0