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摘要:
加速电子与充氙闸流管中的氙原子碰撞,电子被散射.实验测量了77 K及室温状况下管中的栅极及板极电流.通过计算,得出了散射概率、散射截面与电子能量的关系.结果表明,当电子能量约为1 eV时出现较弱散射概率,散射截面出现极小值,得出了与冉绍尔-汤森效应一致的结论.介绍了实验过程中的补偿和修正方法,并对影响实验结果的因素进行了分析.
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文献信息
篇名 氙原子散射截面反常现象的观测分析
来源期刊 物理实验 学科 物理学
关键词 冉绍尔-汤森效应 充氙闸流管 散射概率 散射截面
年,卷(期) 2008,(7) 所属期刊栏目 集锦
研究方向 页码范围 40-44
页数 5页 分类号 O562.5
字数 2750字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-4642.2008.07.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李汝恒 大理学院物理与电子信息学院 32 143 6.0 10.0
2 陈丽 大理学院物理与电子信息学院 30 99 5.0 8.0
3 张学清 大理学院物理与电子信息学院 22 158 6.0 12.0
4 胡永茂 大理学院物理与电子信息学院 10 113 5.0 10.0
5 张桂樯 复旦大学物理系 4 19 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
冉绍尔-汤森效应
充氙闸流管
散射概率
散射截面
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理实验
月刊
1005-4642
22-1144/O4
大16开
长春市人民大街5268号东北师范大学内
12-44
1980
chi
出版文献量(篇)
3869
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22
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