掺杂钕对导电云母粉电阻率的影响

• 作者: HU Xue-feng ZHANG Ling-yan ZHU Ying-bo 管俊芳 谭增增 高惠民
• 来源期刊: 稀土
• 学科: 化学
• 关键词: 导电云母粉 掺杂钕 电阻率
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 30-34
• 页数: 5页
• 分类号: O614.33|TM201.4
• 字数: 4235字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-0277.2008.04.007

摘要

以超细云母为核体,采用化学共沉淀法在云母表面包覆二氧化锡掺杂锑形成导电层,并用硝酸钕进行修饰来制备掺杂稀土导电云母粉.通过实验发现,掺杂钕后导电云母粉的电阻率显著降低,最低可达到1Ω·cm以下,而未掺杂钕时的最低电阻率为3Ω·cm左右.进一步用XRD、SEM对导电云母粉进行了表征,并探讨二氧化锡掺杂锑导电云母粉的导电机理和掺杂钕导电性显著增强的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	管俊芳	武汉理工大学资源与环境工程学院	138	666	13.0	18.0
2	高惠民	武汉理工大学资源与环境工程学院	107	619	13.0	19.0
3	HU Xue-feng	武汉理工大学资源与环境工程学院	1	3	1.0	1.0
4	谭增增	武汉理工大学资源与环境工程学院	1	3	1.0	1.0
5	ZHU Ying-bo	武汉理工大学资源与环境工程学院	1	3	1.0	1.0
6	ZHANG Ling-yan	武汉理工大学资源与环境工程学院	1	3	1.0	1.0