氧分压对Zn1-xCoxO1-δ磁性半导体磁特性的调控作用

• 作者: 季刚 张云鹏 张泽 梅良模 颜世申
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 室温铁磁性半导体 氧分压 氧缺位 调控
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 页码范围: 1399-1403
• 页数: 5页
• 分类号: I472|TG115.21
• 字数: 4594字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2008.11.021

摘要

利用电子显微分析技术对高Co含量的室温铁磁性半导体Zn1-xCoxO1-δ进行了微观表征,证明了氧含量是决定Zn1-xCoxO1-δ薄膜微观结构和磁性能的重要因素.在缺氧环境下,薄膜由含有大量氧缺位的纤锌矿结构的Zn1-xCoxO1-δ纳米晶(直径约5 nm)和填充其间的Zn-Co-O非晶相组成,两相对薄膜宏观磁性均有贡献;在富氧的环境下,非晶Zn-Co-O相消失,出现了CoO反铁磁相,纤锌矿结构Zn1-xCoxO1-δ中的氧缺位大量减少,晶粒长大到10-20 nm,室温铁磁性逐渐减弱,直至消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梅良模	山东大学物理学院	62	303	10.0	13.0
2	张泽	北京工业大学固体微结构与性能研究所	44	272	8.0	15.0
3	季刚	北京工业大学固体微结构与性能研究所	1	0	0.0	0.0
4	张云鹏	山东大学物理学院	26	134	8.0	10.0
5	颜世申	山东大学物理学院	8	34	4.0	5.0