单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究

• 作者: 张亚非 陈长鑫 黄改燕
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单壁碳纳米管 碳纳米管场效应晶体管 肖特基势垒 超声纳米焊接 原位生长
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 78-82
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.18|TB383|TN386.30
• 字数: 3399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.02.004

摘要

综述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的主要结构和导电沟道的制备工艺.如AFM探针操控、CVD原位生长、交流介电泳和L-B大面积操控排布等方法.在对CNTFET的这些结构和制备工艺进行详细分析的基础上,着重指出目前CNTFET导电沟道制备中存在的诸如金属性单壁碳纳米管(SWCNT)的烧除、接触电阻大、滞后现象以及p型CNTFET转化等问题,并针对这些问题提出了具体可行的解决方案.