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IMEC开发高K金属栅平面CMOS和FinFET
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摘要：
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考虑量子效应的FinFET栅电容物理模型研究
FinFET
量子效应
栅电容
物理模型
双栅氧CMOS工艺研究
双栅氧工艺
高压CMOS流程
体硅衬底上的CMOS FinFET
FinFET
凹槽
设计
制作
器件特性
CMOS
体硅
FinFET器件在极低温下特性研究
FinFET
极低温
直流特性
射频特性
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
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引文网络
引文网络
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共引文献 (0)
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2008(0)
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研究主题发展历程
节点文献
金属栅
FINFET
IMEC
激光退火
阈值电压
栅介质
淀积
沟道效应
器件可靠性
金属技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
总被引数（次）
664
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