拓展临近效应由纳米连接制备亚20nm金属Nanogaps

• 作者: 孙艳 戴宁 陈鑫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属nanogap 纳米构筑技术 临近效应 电子束光刻
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1666-1669
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.005

摘要

描述了一种拓展电子束光刻中的临近效应来制备特征尺寸在亚20nm的金属Nanogap的方法.结合图形转移过程(如去胶等),利用临近效应灵活有效地制备了金属(如Au或者Ag等)Nanogap结构及其阵列.采用GDSII软件设计图形,以电子束光刻为手段制备Nanogap的原始纳米连接图形,然后通过去胶过程获得金属的Nanogap.另外,通过控制电子束光刻的剂量,能够把Nanogap的尺寸降低到约10nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴宁	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	55	315	11.0	15.0
2	孙艳	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	47	652	12.0	25.0
3	陈鑫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	26	42	4.0	5.0