ZnSe薄膜电沉积工艺条件的研究

• 作者: 张成光 符德学 缪娟
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电沉积 ZnSe薄膜 工艺条件
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺研究
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: TQ153.2
• 字数: 2896字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2008.04.017

摘要

采用电沉积方法制备了ZnSe薄膜,研究了电沉积工艺参数,包括镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值及电流密度等对膜层的影响.通过正交试验对上述各参数进行优化,以寻求最佳的工艺条件,得到最佳制备条件为:电流密度6.0mA/cm2,柠檬酸钠14.71g,pH值3.5,Zn2+/SeO2-3浓度比200:1,温度65℃,时间8min.在此条件下制备了薄膜样品,并用扫描电镜、EDAX能谱仪对镀层进行了表征,其结构均匀致密,Zn/Se化学计量比为1/1.01.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张成光		8	119	5.0	8.0
2	缪娟		57	507	13.0	21.0
3	符德学		47	391	11.0	18.0