退火对Mn和N共掺杂的Zno0.88Mn0.12O:N薄膜特性的影响

• 作者: Shi Hong-Jun Wang Jun 丁扣宝 邱东江 郏寅
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 Mn和N共掺杂 电学特性 磁特性
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5249-5255
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.08.092

摘要

以NH3为掺N源,采用电子柬反应蒸发技术生长了Mn和N共掺杂的Zno0.88Mn0.12O:N薄膜,生长温度为300℃,然后在02气氛中400℃退火0.5 h.X射线衍射测量表明,Zno0.88Mn0.12O(Mn掺杂)薄膜或Zno0.88Mn0.12O:N(Mn和N共掺杂)薄膜仍具有单一晶相纤锌矿结构,未检测到杂质相.与不掺N的Zno0.88Mn0.12O薄膜相比,Zno0.88Mn0.12O:N薄膜的(002)晶面衍射峰向小角度方向偏移且半高宽变宽.Hall效应测量结果显示,Zno0.88Mn0.12O:N薄膜由退火前的n型导电转变为退火后的P型导电.室温磁特性测量结果表明,虽然原生Zno0.88Mn0.12O:N薄膜呈铁磁性,但其饱和磁化强度M.折算到每个Mn2+仅为约0.20μB,且稳定性不理想,在大气中放置30 d后M.降低到原来的3%左右.退火处理不仅使Zno0.88Mn0.12O:N薄膜的室温M.增大到每个Mn2+约为0.70μB,且在大气中放置30 d后其M.几乎不变.分析了Zno0.88Mn0.12O:N薄膜的铁磁性起源及退火导致其铁磁性增强并稳定的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱东江	浙江大学物理系	22	144	8.0	11.0
2	Wang Jun	浙江大学信息与电子工程学系	1	0	0.0	0.0
3	丁扣宝	浙江大学物理系	18	85	6.0	8.0
4	Shi Hong-Jun	浙江大学物理系	1	0	0.0	0.0
5	郏寅	浙江大学信息与电子工程学系	1	0	0.0	0.0