Cu互连及其关键工艺技术研究现状

• 作者: 刘梦新 杜寰 赵超荣 韩郑生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连 阻挡层材料 电化学镀铜 化学机械抛光
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 374-377
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 3291字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.002

摘要

低介电常数材料和低电阻率金属的使用可以有效地降低互连线引起的延时.Cu因其具有比Al及Al合金更低的电阻率和更高的抗电迁移能力而成为新一代互连材料.论述了Cu互连技术的工艺过程及其研究发展现状.对Cu互连技术中的阻挡层材料、电化学镀Cu技术以及化学机械抛光技术等一系列关键工艺技术进行系统的分析和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0
3	刘梦新	中国科学院微电子研究所	16	70	5.0	7.0
4	赵超荣	中国科学院微电子研究所	2	13	2.0	2.0