日盲探测器高Al组分n-Al0.6Ga0.4N欧姆接触

• 作者: 于奇 姬洪 朱雁翎 杜江锋 杨谟华 罗木昌 赵文伯 赵红 黄烈云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高铝n-AlGaN 欧姆接触 退火 背光照 pin日盲探测器
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1661-1665
• 页数: 5页
• 分类号: O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.004

摘要

研究了应用于目盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,会属制作后再在N2氛了围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过Ⅰ-Ⅴ测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4n·cm2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.