热处理对MgO基片的表面形貌以及对CeO2和Tl-2212薄膜生长的影响

• 作者: 何明 周铁戈 季鲁 岳宏卫 左涛 张旭 张玉婷 方兰 李加蕾 游石头 王争 谢清连 赵新杰 阎少林
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 工学
• 关键词: Tl-2212超导薄膜 MgO 缓冲层
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 本期头条
• 页码范围: 1-4,7
• 页数: 5页
• 分类号: TB6
• 字数: 3383字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2008.04.001

摘要

研究了MgO基片在高温退火时表面形貌和表面结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1100℃温度下退火,MgO的表面首先由未退火时的皱褶形貌,演化为光滑表面,随着退火时间的延长,表面形貌最终演化为具有光滑基底的独立生长峰结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高MgO基片表面结晶的完整性.在1100℃温度下热处理8小时的MgO基片上可以生长出具有高度c轴取向的CeO2(001)缓冲层.然后在此缓冲层上制备了厚度为500nm的外延Tl-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)达到108.6K,液氮温度下临界电流密度(Jc)为2.8mA/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约为360.9μΩ.