硅片在HF/HNO3/H2O体系中的腐蚀速度

• 作者: 刘志刚 孙铁囤 安静 汪建强 苦史伟
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅腐蚀 反应速度 温度
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 理论与实践
• 页码范围: 319-323
• 页数: 5页
• 分类号: TK519
• 字数: 3930字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2008.03.012

摘要

研究了硅片在富硝酸的HF/HNCO3/H2O体系中的腐蚀规律.随着腐蚀反应的进行,反应分5个阶段,在开始的5min内硅片腐蚀量较大,然后反应速度经历了下降、上升、下降再迅速下降的过程,最终达到稳定阶段.另外,随着反应时间的延长,反应温度先上升到达最大值,然后逐渐下降,溶液中氟离子浓度不断减小,反应速度随时间的变化规律是腐蚀生成热、体系与外界热交换以及溶液中氟离子浓度共同作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	安静	上海交通大学物理系太阳能研究所	3	15	2.0	3.0
2	孙铁囤	上海交通大学物理系太阳能研究所	11	95	5.0	9.0
3	刘志刚	上海交通大学物理系太阳能研究所	14	102	5.0	10.0
4	汪建强	上海交通大学物理系太阳能研究所	7	54	4.0	7.0
5	苦史伟	上海交通大学物理系太阳能研究所	3	11	1.0	3.0