退火对电容型硅纳米孔柱阵列湿度传感器性能的影响

• 作者: 吉慧芳 吕运朋 姜卫粉 李新建 李隆玉 董永芬
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米孔柱阵列(Si-NPA) 湿敏 退火 温度
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 生物化学类传感器
• 页码范围: 1097-1101
• 页数: 5页
• 分类号: TP-212|TN303
• 字数: 3574字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2008.07.003

摘要

基于硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)制备电容型湿度传感元件,并在250℃、450℃和550℃三个温度下对元件进行退火处理.测试数据显示,在测试温度低于550℃时,Si-NPA湿敏元件灵敏度随退火温度的升高而增大,但响应时间略微延长,湿滞回差略微增大;550℃退火后,元件的灵敏度急剧降低.采用场发射扫描电镜(FE-SEM)对不同温度退火的硅纳米孔柱阵列表面形貌进行观察,发现550℃退火元件的微观多孔结构发生了明显变化,即多孔结构致密化.结果表明,通过合适温度退火可以显著提高Si-NPA湿敏元件灵敏度,同时仍然保持较快的响应速度和较小的湿滞回差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕运朋	郑州大学测控技术系	48	342	10.0	16.0