硅片加工损伤机理的压痕、划痕研究

• 作者: 张银霞 郜伟
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 硅片 损伤机理 压痕 划瘦
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 可靠性分析
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2008.08.017

摘要

系统地分析了硅片的压痕,划痕的损伤机理,指出单晶硅压痕、划痕的损伤形式主要有微裂纹、位错、面缺陷、非晶及多晶相变等,材料的塑性去除和单晶硅的金属相变(Si-Ⅱ相)有关.该研究对分析单晶硅片机械加工过程中材料的损伤机理有重要的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张银霞	郑州大学机械工程学院	37	170	8.0	11.0
2	郜伟	郑州大学机械工程学院	16	101	5.0	9.0