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摘要:
阐述了低k材料在IC电路中的作用及其性质,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、SiOCSO五种材料为研究对象,分析了低k材料与Cu互连工艺的相互联系和作用.在Sikder和Kumar提供的声发射信号(AE)的在线监测图的基础上比较和分析了五种材料的硬度和模数值;根据Preston方程绘制九点测量数据图,发现前三种材料可满足抛光机理,而后两种的抛光行为更倾向于表面反应;根据五种材料抛光前后的实验数据表面形态图表,判断出抛光后材料粗糙度的走向.最后指出低k材料需要发展和完善的工艺及对抛光设备的进一步要求.
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文献信息
篇名 低k材料的化学机械抛光研究
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 化学机械抛光 声发射信号在线检测 普莱斯顿方程 低k材料 表面形貌
年,卷(期) 2008,(5) 所属期刊栏目 显微、测量、微细加工技术与设备
研究方向 页码范围 293-297
页数 5页 分类号 TN305.2
字数 2497字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.05.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周国安 中国电子科技集团公司第四十五研究所 13 43 4.0 6.0
2 种宝春 中国电子科技集团公司第四十五研究所 3 17 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
化学机械抛光
声发射信号在线检测
普莱斯顿方程
低k材料
表面形貌
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
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