事件相关电位中错误相关负电位神经发生源的研究

• 作者: 唐云翔 张明岛 王继军 肖泽萍 谢斌 陈兴时
• 来源期刊: 上海交通大学学报（医学版）
• 学科: 医学
• 关键词: 错误相关负电位 神经发生源 事件相关电位 低分辨率电磁断层扫描术
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 临床研究
• 页码范围: 80-83
• 页数: 4页
• 分类号: R741.044
• 字数: 4134字
• 语种: 中文

摘要

目的 研究健康个体事件相关电位中错误相关负电位(ERN)的神经发生源.方法 以24名健康志愿者为被试,采用高密度事件相关电位记录技术,由修改后的视觉Eriksen Flanker任务引出ERN,经LORETA技术对ERN差异波顶点前后125 ms时间窗口内的神经发生源进行研究.结果 被试者的错误反应率为(10.29±5.91)%,错误反应次数与ERN差异波平均波幅呈正相关(r=0.53,P＜0.01);与正确判断反应相比,错误判断反应引出的ERN波幅明显增大(P＜0.001),潜伏期延迟(P＜0.05);差异波顶点后25～74 ms时ERN激活的脑功能区主要为额上回、额中回、额内侧回(Brodmann 6区),差异波顶点后75～124 ms时ERN激活的脑功能区位于中央后回(Brodmann 2区).结论 ERN神经发生源位于额叶(Brodmann 6区)及顶叶中央后回.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王继军	上海交通大学医学院上海市精神卫生中心	77	474	12.0	20.0
2	唐云翔	上海交通大学医学院上海市精神卫生中心	62	407	10.0	17.0
4	谢斌	上海交通大学医学院上海市精神卫生中心	98	402	11.0	16.0
5	陈兴时	上海交通大学医学院上海市精神卫生中心	87	177	6.0	9.0
6	肖泽萍	上海交通大学医学院上海市精神卫生中心	103	738	14.0	25.0
7	张明岛	上海交通大学医学院上海市精神卫生中心	23	84	5.0	8.0