射频功率Trench MOSFET研制

• 作者: 冯彬 刘英坤 胡顺欣 苏延芬 董四华 邓建国
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Trench//MOSFET 导通电阻 沟道密度 垂直沟道结构 饱和压降
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 380-382,386
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1909字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.07.002

摘要

在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件.该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流大于3.0 A、跨导大于0.8 S、阈值电压2～3 V、导通电阻比同样条件的VDMOS降低了19%～43%,在175 MHz、VDS=12 V下输出功率PO为7 w、漏极效率ηD为44%、功率增益GP为10 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡顺欣	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	21	3.0	4.0
2	苏延芬	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	39	2.0	6.0
3	邓建国	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	45	4.0	5.0
4	刘英坤	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	183	8.0	12.0
5	冯彬	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	45	4.0	5.0
6	董四华	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	31	3.0	5.0